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Thorlabs漸變折射率（GRIN）多模光纖
- 產(chǎn)品型號(hào)：
- 更新時(shí)間：2023-12-19
- 產(chǎn)品介紹：與傳統(tǒng)的階躍折射率多模光纖相比，Thorlabs漸變折射率（GRIN）多模光纖模式色散較低，彎曲損耗更小，工作范圍較寬，從800到1600nm（有關(guān)這個(gè)波段的衰減曲線圖，請(qǐng)看曲線圖標(biāo)簽）。與單模光纖相比，這些光纖的芯徑較大，具有較強(qiáng)的傳輸能力，適用于短距離通信網(wǎng)絡(luò)和高速傳輸應(yīng)用。纖芯和包層之間的漸變折射率決定了給定波長(zhǎng)下的可用帶寬。
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產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Thorlabs | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學(xué)元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
Thorlabs漸變折射率（GRIN）多模光纖
Thorlabs漸變折射率（GRIN）多模光纖特性
提供纖芯Ø50 µm/包層Ø125 µm和纖芯Ø62.5 µm/包層Ø125 µm的光纖
三種帶寬選項(xiàng)(OM2、OM3或OM4) ，用于纖芯Ø50 µm的光纖(更多信息，請(qǐng)看規(guī)格標(biāo)簽)
纖芯Ø62.5 µm的光纖預(yù)先盤好，長(zhǎng)度有10 m，100 m和1000 m
與傳統(tǒng)的階躍折射率多模光纖相比，Thorlabs的漸變折射率(GRIN)多模光纖模式色散較低，彎曲損耗更小，工作范圍較寬，從800到1600nm(有關(guān)這個(gè)波段的衰減曲線圖，請(qǐng)看曲線圖標(biāo)簽)。與單模光纖相比，這些光纖的芯徑較大，具有較強(qiáng)的傳輸能力，適用于短距離通信網(wǎng)絡(luò)和高速傳輸應(yīng)用。纖芯和包層之間的漸變折射率決定了給定波長(zhǎng)下的可用帶寬。
我們纖芯Ø50 µm/包層Ø125 µm的漸變折射率光纖改善了透射率，提供三種不同的帶寬(OM2、OM3或OM4)。光纖表面有一層可機(jī)械剝除的Ø242 μm丙烯酸酯涂覆層。它們非常適合用在通信應(yīng)用中；帶寬經(jīng)過優(yōu)化，適用于高性能的850 nm激光系統(tǒng)，但也可以在較低的帶寬下，用于850 nm或1300 nm的LED(更多信息，請(qǐng)看規(guī)格標(biāo)簽)。
我們低損耗、高帶寬、纖芯Ø62.5 µm/包層Ø125 µm的光纖(OM1)具有雙層丙烯酸酯涂覆層，防止其受到的水分子、溫度和濕度狀態(tài)的影響。GIF625光纖可以按米提供，也可以預(yù)盤成10 m、100 m和1000 m的長(zhǎng)度提供。
Stock Patch Cables Using This Fiber | |||
Fiber Type | Connectors | Available Lengths | Patch Cable Item # |
GIF625 | FC/PC | 1, 2, 3, 5, 10, 20 m | M31Lxx |
GIF50C | FC/PC | 1, 2, 5 m | M115Lxx |
GIF50E | FC/PC | 1, 2, 5 m | M116Lxx |
GIF50E | FC/PC to LC/PC | 1, 2, 5 m | M117Lxx |
規(guī)格
Item # | GIF50C | GIF50D | GIF50E | GIF625 | |
Geometrical and Physical Specifications | |||||
Core Diameter | 50.0 ± 2.5 µm | 62.5 ± 2.5 µm | |||
Cladding Diameter | 125.0 ± 1.0 µm | 125 ± 1 µm | |||
Coating Diameter | 242 ± 5 µm | 245 ± 10 nm | |||
Core Non-Circularity | ≤5% | ≤5% | |||
Cladding Non-Circularity | ≤1.0% | ≤1% | |||
Coating Non-Circularity | - | ≤5% | |||
Core-Cladding Concentricitya | ≤1.5 µm | ≤8 µm | |||
Coating-Cladding Concentricity | < 12 µm | - | |||
Core Doping | Germanium | Germanium | |||
Coating Material | Acrylate | Acrylate | |||
Proof Test | ≥100 kpsi | ≥100 kpsi | |||
Core Index | Proprietaryb | Proprietaryb | |||
Cladding Index | Proprietaryb | Proprietaryb | |||
Operating Temperature | -60 to 85 °C | -60 to 85 °C | |||
Optical Specifications | |||||
Operating Wavelength | 800 - 1600 nm | 800 - 1600 nm | |||
Numerical Aperture | 0.200 ± 0.015 | 0.275 ± 0.015 | |||
Optical Multimode (OM) Type | OM2 | OM3 | OM4 | OM1 | |
Bandwidth | High-Performance EMB (@ 850 nm)c | 950 MHz•km | 2000 MHz•km | 4700 MHz•km | - |
Overfilled Modal Bandwidthd | 700 MHz•km @ 850 nm | 1500 MHz•km @ 850 nm | 4700 MHz•km @ 850 nm | ≥200 MHz•km @ 850 nm | |
Attenuation | ≤2.3 dB/km @ 850 nm | ≤2.9 dB/km @ 850 nm | |||
Macrobend Attenuation | - | 100 Turns on a Ø75 mm Mandrel: | |||
Effective Group Index of Refraction | 1.482 @ 850 nm | 1.496 @ 850 nm | |||
Zero Dispersion Wavelength | 1295 nm (Min) | 1320 nm (Min) | |||
Zero Dispersion Slope | ≤0.101 ps/(nm2•km) | ≤0.11 ps/(nm2•km) | |||
a. 也可以稱作纖芯-包層誤差。
b. 非常抱歉，我們不能提供這種zhuan利數(shù)據(jù)。
c. 對(duì)于高性能激光系統(tǒng)，通過minEMBc / TIA/EIA 455-220A和IEC 60793-1-49確保。
d. 對(duì)于LED光源過度充滿光纖的情況。OFL BW / TIA/EIA 455-220A和IEC 60793-1-41。更多有關(guān)過度充滿的信息，請(qǐng)看多模光纖教程耦合條件部分。
曲線圖
損傷閥值
空氣-玻璃界面的損傷
空氣/玻璃界面有幾種潛在的損傷機(jī)制。自由空間耦合或使用光學(xué)接頭匹配兩根光纖時(shí)，光會(huì)入射到這個(gè)界面。如果光的強(qiáng)度很高，就會(huì)降低功率的適用性，并給光纖造成性損傷。而對(duì)于使用環(huán)氧樹脂將接頭與光纖固定的終端光纖而言，高強(qiáng)度的光產(chǎn)生的熱量會(huì)使環(huán)氧樹脂熔化，進(jìn)而在光路中的光纖表面留下殘留物。
損傷的光纖端面
未損傷的光纖端面
裸纖端面的損傷機(jī)制
光纖端面的損傷機(jī)制可以建模為大光學(xué)元件，紫外熔融石英基底的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)損傷閾值適用于基于石英的光纖(參考右表)。但是與大光學(xué)元件不同，與光纖空氣/璃界面相關(guān)的表面積和光束直徑都非常小，耦合單模(SM)光纖時(shí)尤其如此，因此，對(duì)于給定的功率密度，入射到光束直徑較小的光纖的功率需要比較低。
右表列出了兩種光功率密度閾值：一種理論損傷閾值，一種"實(shí)際安全水平"。一般而言，理論損傷閾值代表在光纖端面和耦合條件非常好的情況下，可以入射到光纖端面且沒有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。而"實(shí)際安全水平"功率密度代表光纖損傷的低風(fēng)險(xiǎn)。超過實(shí)際安全水平操作光纖或元件也是有可以的，但用戶必須遵守恰當(dāng)?shù)倪m用性說(shuō)明，并在使用前在低功率下驗(yàn)證性能。
計(jì)算單模光纖和多模光纖的有效面積單模光纖的有效面積是通過模場(chǎng)直徑(MFD)定義的，它是光通過光纖的橫截面積，包括纖芯以及部分包層。耦合到單模光纖時(shí)，入射光束的直徑必須匹配光纖的MFD，才能達(dá)到良好的耦合效率。
例如，SM400單模光纖在400 nm下工作的模場(chǎng)直徑(MFD)大約是Ø3 µm，而SMF-28 Ultra單模光纖在1550 nm下工作的MFD為Ø10.5 µm。則兩種光纖的有效面積可以根據(jù)下面來(lái)計(jì)算：
SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5µm)2 = 7.07 µm2= 7.07 x 10-8cm2
SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 µm)2= 86.6 µm2= 8.66 x 10-7cm2
為了估算光纖端面適用的功率水平，將功率密度乘以有效面積。請(qǐng)注意，該計(jì)算假設(shè)的是光束具有均勻的強(qiáng)度分布，但其實(shí)，單模光纖中的大多數(shù)激光束都是高斯形狀，使得光束中心的密度比邊緣處更高，因此，這些計(jì)算值將略高于損傷閾值或?qū)嶋H安全水平對(duì)應(yīng)的功率。假設(shè)使用連續(xù)光源，通過估算的功率密度，就可以確定對(duì)應(yīng)的功率水平：
SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理論損傷閾值)
7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (實(shí)際安全水平)
SMF-28 Ultra Fiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理論損傷閾值)
8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (實(shí)際安全水平)
多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定，一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果，Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大，降低了光纖端面的功率密度，因此，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無(wú)損傷地耦合到多模光纖中。
Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea | ||
Type | Theoretical Damage Thresholdb | Practical Safe Levelc |
CW(Average Power) | ~1 MW/cm2 | ~250 kW/cm2 |
10 ns Pulsed(Peak Power) | ~5 GW/cm2 | ~1 GW/cm2 |
所有值針對(duì)無(wú)終端(裸露)的石英光纖，適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。
這是可以入射到光纖端面且沒有損傷風(fēng)險(xiǎn)的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前，必須驗(yàn)證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性，因其與系統(tǒng)有著緊密的關(guān)系。
這是在大多數(shù)工作條件下，入射到光纖端面且不會(huì)損傷光纖的安全功率密度估算值。
插芯/接頭終端相關(guān)的損傷機(jī)制
有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過環(huán)氧樹脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過接頭耦合到光纖時(shí)，沒有進(jìn)入纖芯并在光纖中傳播的光會(huì)散射到光纖的外層，再進(jìn)入插芯中，而環(huán)氧樹脂用來(lái)將光纖固定在插芯中。如果光足夠強(qiáng)，就可以熔化環(huán)氧樹脂，使其氣化，并在接頭表面留下殘?jiān)?。這樣，光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點(diǎn)，造成耦合效率降低，散射增加，進(jìn)而出現(xiàn)損傷。
與環(huán)氧樹脂相關(guān)的損傷取決于波長(zhǎng)，出于以下幾個(gè)原因。一般而言，短波長(zhǎng)的光比長(zhǎng)波長(zhǎng)的光散射更強(qiáng)。由于短波長(zhǎng)單模光纖的MFD較小，且產(chǎn)生更多的散射光，則耦合時(shí)的偏移也更大。
為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹脂的風(fēng)險(xiǎn)，可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構(gòu)建無(wú)環(huán)氧樹脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設(shè)計(jì)特點(diǎn)的接頭。
曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機(jī)制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關(guān)損傷機(jī)制的低功率水平限制(由實(shí)線表示)。
確定具有多種損傷機(jī)制的功率適用性
光纖跳線或組件可能受到多種途徑的損傷(比如，光纖跳線)，而光纖適用的大功率始終受到與該光纖組件相關(guān)的低損傷閾值的限制。
例如，右邊曲線圖展現(xiàn)了由于光纖端面損傷和光學(xué)接頭造成的損傷而導(dǎo)致單模光纖跳線功率適用性受到限制的估算值。有終端的光纖在給定波長(zhǎng)下適用的總功率受到在任一給定波長(zhǎng)下，兩種限制之中的較小值限制(由實(shí)線表示)。在488 nm左右工作的單模光纖主要受到光纖端面損傷的限制(藍(lán)色實(shí)線)，而在1550
nm下工作的光纖受到接頭造成的損傷的限制(紅色實(shí)線)。
對(duì)于多模光纖，有效模場(chǎng)由纖芯直徑確定，一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的有效模場(chǎng)。因此，其光纖端面上的功率密度更低，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級(jí))可以無(wú)損傷地耦合到光纖中(圖中未顯示)。而插芯/接頭終端的損傷限制保持不變，這樣，多模光纖的大適用功率就會(huì)受到插芯和接頭終端的限制。
請(qǐng)注意，曲線上的值只是在合理的操作和對(duì)準(zhǔn)步驟幾乎不可能造成損傷的情況下粗略估算的功率水平值。值得注意的是，光纖經(jīng)常在超過上述功率水平的條件下使用。不過，這樣的應(yīng)用一般需要專業(yè)用戶，并在使用之前以較低的功率進(jìn)行測(cè)試，盡量降低損傷風(fēng)險(xiǎn)。但即使如此，如果在較高的功率水平下使用，則這些光纖元件應(yīng)該被看作實(shí)驗(yàn)室消耗品。
光纖內(nèi)的損傷閾值
除了空氣玻璃界面的損傷機(jī)制外，光纖本身的損傷機(jī)制也會(huì)限制光纖使用的功率水平。這些限制會(huì)影響所有的光纖組件，因?yàn)樗鼈兇嬖谟诠饫w本身。光纖內(nèi)的兩種損傷包括彎曲損耗和光暗化損傷。
彎曲損耗
光在纖芯內(nèi)傳播入射到纖芯包層界面的角度大于臨界角會(huì)使其無(wú)法全反射，光在某個(gè)區(qū)域就會(huì)射出光纖，這時(shí)候就會(huì)產(chǎn)生彎曲損耗。射出光纖的光一般功率密度較高，會(huì)燒壞光纖涂覆層和周圍的松套管。
有一種叫做雙包層的特種光纖，允許光纖包層(第二層)也和纖芯一樣用作波導(dǎo)，從而降低彎折損傷的風(fēng)險(xiǎn)。通過使包層/涂覆層界面的臨界角高于纖芯/包層界面的臨界角，射出纖芯的光就會(huì)被限制在包層內(nèi)。這些光會(huì)在幾厘米或者幾米的距離而不是光纖內(nèi)的某個(gè)局部點(diǎn)漏出，從而大限度地降低損傷。Thorlabs生產(chǎn)并銷售0.22 NA雙包層多模光纖，它們能將適用功率提升百萬(wàn)瓦的范圍。
光暗化
光纖內(nèi)的第二種損傷機(jī)制稱為光暗化或負(fù)感現(xiàn)象，一般發(fā)生在紫外或短波長(zhǎng)可見光，尤其是摻鍺纖芯的光纖。在這些波長(zhǎng)下工作的光纖隨著曝光時(shí)間增加，衰減也會(huì)增加。引起光暗化的原因大部分未可知，但可以采取一些列措施來(lái)緩解。例如，研究發(fā)現(xiàn)，羥基離子(OH)含量非常低的光纖可以抵抗光暗化，其它摻雜物比如氟，也能減少光暗化。
即使采取了上述措施，所有光纖在用于紫外光或短波長(zhǎng)光時(shí)還是會(huì)有光暗化產(chǎn)生，因此用于這些波長(zhǎng)下的光纖應(yīng)該被看成消耗品。
制備和處理光纖
通用清潔和操作指南
建議將這些通用清潔和操作指南用于所有的光纖產(chǎn)品。而對(duì)于具體的產(chǎn)品，用戶還是應(yīng)該根據(jù)輔助文獻(xiàn)或手冊(cè)中給出的具體指南操作。只有遵守了所有恰當(dāng)?shù)那鍧嵑筒僮鞑襟E，損傷閾值的計(jì)算才會(huì)適用。
安裝或集成光纖(有終端的光纖或裸纖)前應(yīng)該關(guān)掉所有光源，以避免聚焦的光束入射在接頭或光纖的脆弱部分而造成損傷。
光纖適用的功率直接與光纖/接頭端面的質(zhì)量相關(guān)。將光纖連接到光學(xué)系統(tǒng)前，一定要檢查光纖的末端。端面應(yīng)該是干凈的，沒有污垢和其它可能導(dǎo)致耦合光散射的污染物。另外，如果是裸纖，使用前應(yīng)該剪切，用戶應(yīng)該檢查光纖末端，確保切面質(zhì)量良好。
如果將光纖熔接到光學(xué)系統(tǒng)，用戶先應(yīng)該在低功率下驗(yàn)證熔接的質(zhì)量良好，然后在高功率下使用。熔接質(zhì)量差，會(huì)增加光在熔接界面的散射，從而成為光纖損傷的來(lái)源。
對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和優(yōu)化耦合時(shí)，用戶應(yīng)該使用低功率；這樣可以大程度地減少光纖其他部分(非纖芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包層、涂覆層或接頭，有可能產(chǎn)生散射光造成的損傷。
高功率下使用光纖的注意事項(xiàng)
一般而言，光纖和光纖元件應(yīng)該要在安全功率水平限制之內(nèi)工作，但在理想的條件下(佳的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和非常干凈的光纖端面)，光纖元件適用的功率可能會(huì)增大。用戶先必須在他們的系統(tǒng)內(nèi)驗(yàn)證光纖的性能和穩(wěn)定性，然后再提高輸入或輸出功率，遵守所有所需的安全和操作指導(dǎo)。以下事項(xiàng)是一些有用的建議，有助于考慮在光纖或組件中增大光學(xué)功率。
要防止光纖損傷光耦合進(jìn)光纖的對(duì)準(zhǔn)步驟也是重要的。在對(duì)準(zhǔn)過程中，在取得佳耦合前，光很容易就聚焦到光纖某部位而不是纖芯。如果高功率光束聚焦在包層或光纖其它部位時(shí)，會(huì)發(fā)生散射引起損傷。
使用光纖熔接機(jī)將光纖組件熔接到系統(tǒng)中，可以增大適用的功率，因?yàn)樗梢源蟪潭鹊販p少空氣/光纖界面損傷的可能性。用戶應(yīng)該遵守所有恰當(dāng)?shù)闹笇?dǎo)來(lái)制備，并進(jìn)行高質(zhì)量的光纖熔接。熔接質(zhì)量差可能導(dǎo)致散射，或在熔接界面局部形成高熱區(qū)域，從而損傷光纖。
連接光纖或組件之后，應(yīng)該在低功率下使用光源測(cè)試并對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。然后將系統(tǒng)功率緩慢增加到所希望的輸出功率，同時(shí)周期性地驗(yàn)證所有組件對(duì)準(zhǔn)良好，耦合效率相對(duì)光學(xué)耦合功率沒有變化。
由于劇烈彎曲光纖造成的彎曲損耗可能使光從受到應(yīng)力的區(qū)域漏出。在高功率下工作時(shí)，大量的光從很小的區(qū)域(受到應(yīng)力的區(qū)域)逃出，從而在局部形成產(chǎn)生高熱量，進(jìn)而損傷光纖。請(qǐng)?jiān)诓僮鬟^程中不要破壞或突然彎曲光纖，以盡可能地減少?gòu)澢鷵p耗。
用戶應(yīng)該針對(duì)給定的應(yīng)用選擇合適的光纖。例如，大模場(chǎng)光纖可以良好地代替標(biāo)準(zhǔn)的單模光纖在高功率應(yīng)用中使用，因?yàn)榍罢呖梢蕴峁└训墓馐|(zhì)量，更大的MFD，且可以降低空氣/光纖界面的功率密度。
階躍折射率石英單模光纖一般不用于紫外光或高峰值功率脈沖應(yīng)用，因?yàn)檫@些應(yīng)用與高空間功率密度相關(guān)。
多模光纖選擇指南
Thorlabs提供的多模裸光纖具有石英、氟化鋯(ZrF4)或氟化銦(InF3)纖芯。下表詳述了Thorlabs的所有多模裸光纖。點(diǎn)擊右邊欄中的曲線圖標(biāo)可以查看衰減曲線圖。
Index Profile | NA | Fiber Type | Item # | Core Size | Wavelength Range | Attenuation |
Step Index | 0.100 | Fluorine-Doped Cladding, Enhanced Coating View These Fibers | FG010LDA | Ø10 µm | 400 to 550 nm and 700 to 1000 nm |
|
FG025LJA | Ø25 µm | 400 to 550 nm and 700 to 1400 nm | ||||
FG105LVA | Ø105 µm | 400 to 2100 nm | ||||
0.22 | Glass-Clad Slilca Multimode Fiber View These Fibers | FG050UGA | Ø50 µm | 250 to 1200 nm (High OH) |
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FG105UCA | Ø105 µm | |||||
FG200UEA | Ø200 µm | |||||
FG050LGA | Ø50 µm | 400 to 2400 nm (Low OH) | ||||
FG105LCA | Ø105 µm | |||||
FG200LEA | Ø200 µm | |||||
High Power Double TECS / Silica Cladding Multimode Fiber View These Fibers | FG200UCC | Ø200 µm | 250 to 1200 nm (High OH) |
| ||
FG273UEC | Ø273 µm | |||||
FG365UEC | Ø365 µm | |||||
FG550UEC | Ø550 µm | |||||
FG910UEC | Ø910 µm | |||||
FG200LCC | Ø200 µm | 400 to 2200 nm (Low OH) | ||||
FG273LEC | Ø273 µm | |||||
FG273LEC | Ø273 µm | |||||
FG550LEC | Ø550 µm | |||||
FG910LEC | Ø910 µm | |||||
Solarization-Resistant Multimode Fiber for UV Use View These Fibers | FG10CA | Ø105 µm | 180 to 1200 nm Acrylate Coating for Ease of Handling |
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FG200AEA | Ø200 µm | |||||
FG300AEA | Ø300 µm | |||||
FG400AEA | Ø400 µm | |||||
FG600AEA | Ø600 µm | |||||
UM22-100 | Ø100 µm | 180 to 1150 nm Polyimide Coating for Use up to 300 °C | ||||
UM22-200 | Ø200 µm | |||||
UM22-300 | Ø300 µm | |||||
UM22-400 | Ø400 µm | |||||
UM22-600 | Ø600 µm | |||||
0.39 | High Power TECS Cladding Multimode Fiber View These Fibers | FT200UMT | Ø200 µm | 300 to 1200 nm (High OH) |
| |
FT300UMT | Ø300 µm | |||||
FT400UMT | Ø400 µm | |||||
FT600UMT | Ø600 µm | |||||
FT800UMT | Ø800 µm | |||||
FT1000UMT | Ø1000 µm | |||||
FT1500UMT | Ø1500 µm | |||||
FT200EMT | Ø200 µm | 400 to 2200 nm (Low OH) | ||||
FT300EMT | Ø300 µm | |||||
FT400EMT | Ø400 µm | |||||
FT600EMT | Ø600 µm | |||||
FT800EMT | Ø800 µm | |||||
FT1000EMT | Ø1000 µm | |||||
FT1500EMT | Ø1500 µm | |||||
Square-Core Multimode Fiber | FP150QMT | 150 µm x 150 µm | 400 to 2200 nm |
| ||
0.5 | High NA Multimode Fiber View These Fibers | FP200URT | Ø200 µm | 300 to 1200 nm (High OH) |
| |
FP400URT | Ø400 µm | |||||
FP600URT | Ø600 µm | |||||
FP1000URT | Ø1000 µm | |||||
FP1500URT | Ø1500 µm | |||||
FP200ERT | Ø200 µm | 400 to 2200 nm (Low OH) | ||||
FP400ERT | Ø400 µm | |||||
FP600ERT | Ø600 µm | |||||
FP1000ERT | Ø1000 µm | |||||
FP1500ERT | Ø1500 µm | |||||
0.20 | Mid-IR Fiber with Zirconium Fluoride (ZrF4) Core | Various Sizes Between | 285 nm to 4.5 µm |
| ||
0.20 or 0.26 | Mid-IR Fiber with Indium Fluoride (InF3) Core | Ø50 µm or Ø100 µm | 310 nm to 5.5 µm | |||
Graded Index | 0.2 | Graded-Index Fiber for Low Bend Loss View These Fibers | GIF50C | Ø50 µm | 800 to 1600 nm |
|
GIF50D | ||||||
GIF50E | ||||||
0.275 | GIF625 | Ø62.5 µm | 800 to 1600 nm |
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漸變折射率多模光纖，纖芯Ø50 µm/包層Ø125 µm
產(chǎn)品型號(hào) | 公英制通用 |
GIF50C | 漸變折射率多模光纖，纖芯Ø50 µm/包層Ø125 µm，OM2，數(shù)值孔徑0.200 |
GIF50D | 漸變折射率多模光纖，纖芯Ø50 µm/包層Ø125 µm，OM3，數(shù)值孔徑0.200 |
GIF50E | 漸變折射率多模光纖，纖芯Ø50 µm/包層Ø125 µm，OM4，數(shù)值孔徑0.200 |
漸變折射率多模光纖，纖芯Ø62.5 µm/包層Ø125 µm
產(chǎn)品型號(hào) | 公英制通用 |
GIF625 | 漸變折射率多模光纖，纖芯Ø62.5 µm/包層Ø125 µm，OM1，數(shù)值孔徑0.275 |
GIF625-10 | 漸變折射率多模光纖，纖芯Ø62.5 µm/包層Ø125 µm，OM1，數(shù)值孔徑0.275，10米 |
GIF625-100 | 漸變折射率多模光纖，纖芯Ø62.5 µm/包層Ø125 µm，OM1，數(shù)值孔徑0.275，100米 |
GIF625-1000 | 漸變折射率多模光纖，纖芯Ø62.5 µm/包層Ø125 µm，OM1，數(shù)值孔徑0.275，1000米 |
損傷的光纖端面
