極紫外（EUV）球面反射鏡

產品型號：
更新時間：2023-12-20
產品介紹：極紫外（EUV）球面反射鏡具有多層鉬/硅鍍膜，在 13.5nm 下的反射率大于 60%。它們專為 5o 入射角設計，并用于聚焦非偏振 EUV 激光源。表面粗糙度小于 3? RMS，可大程度地降低散射。這對 EUV 波長*，因為 EUV 波長的散射比長波長更多. EUV 球面反射鏡的通帶非常窄，約為 0.5nm，確保只會在高諧波生成（HHG）應用中反射 13.5nm 的關注諧波。
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產品介紹

價格區(qū)間	面議	組件類別	光學元件
應用領域	電子,航天,綜合

極紫外（EUV）球面反射鏡

超拋光基片上的鉬/硅多層鍍膜

13.5nm 下可實現的大反射

設計用于 EUV 光束聚焦應用

適用于 HHG 應用的窄通帶

極紫外（EUV）球面反射鏡 具有多層鉬/硅鍍膜，在 13.5nm 下的反射率大于 60%。它們專為 5o 入射角設計，并用于聚焦非偏振 EUV 激光源。表面粗糙度小于 3? RMS，可大程度地降低散射。這對 EUV 波長*，因為 EUV 波長的散射比長波長更多. EUV 球面反射鏡的通帶非常窄，約為 0.5nm，確保只會在高諧波生成 (HHG) 應用中反射 13.5nm 的關注諧波。EUV 球面反射鏡的典型應用包括相干衍射成像 (CDI)、EUV 成像和 EUV 納米加工.

注意:
每個反射鏡均附運行樣本的測試數據.

極紫外（EUV）球面反射鏡產品信息

DWL (nm)	Dia. (mm)	EFL (mm)	涂層	涂層規(guī)格	產品編碼
13.5	25.40	250.00	Mo/Si Multilayer Layer: Silicon	R_abs>60% @ 13.5nm	#11-730

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